실제 제품과 다를 수 있음
EDA 모델EasyEDA
VISHAY SI8481DB-T1-E1
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | SI8481DB-T1-E1 |
| LCSC 번호 | C727389 |
| 포장 | MicroFoot-4 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 1.1W 20V 9.7A 21mΩ@4.5V 1 P-Channel P-Channel MicroFoot-4 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| 데이터시트 | VISHAY SI8481DB-T1-E1 |
| RoHS 준수 | 1개 문서 이용 가능 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | MicroFoot-4 | |
| Output Capacitance(Coss) | 320pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9.7A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 81pF | |
| RDS(on) | 21mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | MicroFoot-4 | |
| Output Capacitance(Coss) | 320pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 9.7A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 81pF | |
| RDS(on) | 21mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Type | P-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET
- Maximum height as low as 0.6 mm
- Low on-resistance
응용 분야
AI 번역
- Load Switch
- Power management for battery-powered, mobile, and wearable devices
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | MicroFoot-4 | |
| Output Capacitance(Coss) | 320pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9.7A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 81pF | |
| RDS(on) | 21mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | MicroFoot-4 | |
| Output Capacitance(Coss) | 320pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 9.7A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 81pF | |
| RDS(on) | 21mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Type | P-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET
- Maximum height as low as 0.6 mm
- Low on-resistance
응용 분야
AI 번역
- Load Switch
- Power management for battery-powered, mobile, and wearable devices
C727389 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |