LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
HUASHUO HSU0139 product image
  • HSU0139 thumbnail 1
  • HSU0139 thumbnail 2
  • HSU0139 thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

HUASHUO HSU0139

Producent
HUASHUOAsian Brands
Nr części prod.
HSU0139
Nr LCSC
C701018
Opak.
TO-252
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET P-CH 100V 30A TO-252
Karta KatalogowaHUASHUO HSU0139
Zgodność z RoHS1 dokumentów dostępnych
Części alternatywne3
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentHUASHUO
Opak.TO-252
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage100V
Current - Continuous Drain(Id)30A
Ciss-Input Capacitance6.516nF
Pd - Power Dissipation102W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)125pF
RDS(on)50mΩ@10V
Number1 P-Channel
Gate Charge(Qg)92nC@10V
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

HSU0139 utilizes advanced trench MOSFET technology, delivering excellent RDS(ON) and gate charge characteristics, suitable for a wide range of applications. HSU0139 complies with RoHS and green product requirements, is 100% guaranteed EAS-capable, and has passed full-function reliability qualification.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • 100% guaranteed EAS capability
  • Green/eco-friendly device options available
  • Ultra-low gate charge
  • Excellent CdV/dt immunity
  • Advanced high cell density trench technology