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Modelli EDAEasyEDA
OSEN FQA70N10-OSEN
| Produttore | OSENAsian Brands |
| Cod. Prod. | FQA70N10-OSEN |
| Cod. LCSC | C50331601 |
| Imballo | TO-3PN |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 100V 70A TO-3PN |
| Scheda Tecnica | OSEN FQA70N10-OSEN |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | OSEN | |
| Imballo | TO-3PN | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 740pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.1nF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 170pF | |
| RDS(on) | 19mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 84nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | OSEN | |
| Imballo | TO-3PN | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 740pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.1nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 170pF | |
| RDS(on) | 19mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 84nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Fast switching speed
- High input impedance and low-level drive
- Avalanche energy tested
- Improved dv/dt capability, high durability
Applicazioni
Traduzione AI
- High-efficiency switching power supplies
- Power factor correction
- Electronic ballasts
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | OSEN | |
| Imballo | TO-3PN | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 740pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.1nF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 170pF | |
| RDS(on) | 19mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 84nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | OSEN | |
| Imballo | TO-3PN | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 740pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.1nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 170pF | |
| RDS(on) | 19mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 84nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Fast switching speed
- High input impedance and low-level drive
- Avalanche energy tested
- Improved dv/dt capability, high durability
Applicazioni
Traduzione AI
- High-efficiency switching power supplies
- Power factor correction
- Electronic ballasts
C50331601 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |