LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
NCE NCE65T900K product image
  • NCE65T900K thumbnail 1
  • NCE65T900K thumbnail 2
  • NCE65T900K thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

NCE NCE65T900K

Producent
NCEAsian Brands
Nr części prod.
NCE65T900K
Nr LCSC
C502918
Opak.
TO-252
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET N-CH 650V 5A TO-252
Karta KatalogowaNCE NCE65T900K
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentNCE
Opak.TO-252
Output Capacitance(Coss)25pF
Ciss-Input Capacitance370pF
Pd - Power Dissipation46W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage650V
Current - Continuous Drain(Id)5A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)0.5pF
RDS(on)750mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)15nC@10V
Vgs±30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

The series of devices use advanced trench gate super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • New technology for high voltage device
  • Low on-resistance and low conduction losses
  • Small package
  • Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements
  • 100% Avalanche Tested
  • ROHS compliant

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Power factor correction（PFC）
  • Switched mode power supplies(SMPS)
  • Uninterruptible Power Supply（UPS）