LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
onsemi MJH6284G product image
  • MJH6284G thumbnail 1
  • MJH6284G thumbnail 2
  • MJH6284G thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

onsemi MJH6284G

Producent
Nr części prod.
MJH6284G
Nr LCSC
C223550
Opak.
TO-247S
Numer Klienta
Klucz. cechy
Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Karta Katalogowaonsemi MJH6284G
Zgodność z RoHS4 dokumentów dostępnych
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producentonsemi
Opak.TO-247S
Vbe Saturation(VBE(sat))4V
Current - Collector Cutoff-
Operating Temperature-65℃~+150℃@(Tj)
Vbe On(VBE(on))2.8V
Transition frequency(fT)4MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO100V
Emitter-Base Voltage VEBO5V
DC Current Gain750
Pd - Power Dissipation160W
Current - Collector(Ic)20A
typeNPN
Vce Saturation(VCE(sat))3V

Opis

Tłumaczenie AI

These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching motor control applications.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Similar to the Popular NPN 2N6284 and the PNP 2N6287
  • Rugged RBSOA Characteristics
  • Monolithic Construction with Built−in Collector−Emitter Diode
  • These are Pb−Free Devices

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • General-purpose amplifier - Low-speed switching motor control