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DIODES DMN2041UVT-13
| Fabricante | |
| Cód. da peça | DMN2041UVT-13 |
| Nº LCSC | C17509028 |
| Emb. | TSOT-26 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 20V 5.8A 32mΩ@2.5V 1.44W 2 N-Channel TSOT-26 FET, MOSFET Arrays RoHS |
| Folha de Dados | DIODES DMN2041UVT-13 |
| Conformidade RoHS | 4 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | TSOT-26 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| RDS(on) | 32mΩ@2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.44W | |
| Ciss-Input Capacitance | 689pF | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | TSOT-26 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| RDS(on) | 32mΩ@2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.44W |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 689pF | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV |
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Descrição
Tradução por IA
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Recursos
Tradução por IA
- Low On-Resistance
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Aplicações
Tradução por IA
- Backlighting
- DC-DC Converters
- Power Management Functions
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| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.2646 | $ 0.26 |
| 200+ | $ 0.1056 | $ 21.12 |
| 500+ | $ 0.1021 | $ 51.05 |
| 1,000+ | $ 0.1004 | $ 100.40 |
Encapsulamento Padrão10000/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | TSOT-26 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| RDS(on) | 32mΩ@2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.44W | |
| Ciss-Input Capacitance | 689pF | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | TSOT-26 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| RDS(on) | 32mΩ@2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.44W |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 689pF | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV |
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Descrição
Tradução por IA
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Recursos
Tradução por IA
- Low On-Resistance
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Aplicações
Tradução por IA
- Backlighting
- DC-DC Converters
- Power Management Functions
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2041UVT-7 | DIODES | Similares | TSOT-26 | 25 | $ 0.2441 | ||
| DMN2024UVTQ-7 | DIODES | Similares | TSOT-26 | 25 | $ 0.5585 | ||
| LW8810AT | Lewa Micro | Similares | SOT-23-6L | 2,995 | $ 0.1 | ||
| YJS8205B | YANGJIE | Similares | SOT-23-6L | 5,440 | $ 0.0936 | ||
| CJL8810-ES | ElecSuper | Similares | SOT23-6L | 5 | $ 0.0585 |