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onsemi NFAM2012L5B product image
Abbildung ähnlich

onsemi NFAM2012L5B

Hersteller
onsemi
Herst.-Teilenr.
NFAM2012L5B
LCSC-Nr.
C897543
Verp.
DIP-39
Kundennummer
Hauptmerkm.
20kHz 1.2kV 20A 13.5V~16.5V IGBT DIP-39 Power Driver Modules RoHS
Datenblattonsemi NFAM2012L5B
RoHS-Konformität3 Dokumente verfügbar
Nicht vorrätig
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 47.4291$ 47.43
200+$ 18.3549$ 3670.98
500+$ 17.7096$ 8854.80
1,000+$ 17.391$ 17391.00
Standardgehäuse90/Full Tube
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Power Driver Modules
Herstelleronsemi
Verp.DIP-39
Width31mm
Length54.5mm
Quiescent Current(Iq)-
Pd - Power Dissipation-
High-side Bias Voltage(Vbs)13V~18.5V
Voltage - Isolation2500Vrms
Frequency - Switching20kHz
Drain to Source Voltage1.2kV
Current - Continuous Drain(Id)20A
Operating Temperature --40℃~+150℃
Voltage - Supply13.5V~16.5V
Features-
ConfigurationThree-phase bridge
TypeIGBT
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • Three-phase 1200 V, 20 A IGBT module with integrated gate drivers
  • Active logic interface
  • Built-in undervoltage protection
  • Integrated bootstrap diodes and resistors
  • Separate low-side IGBT emitter connections for individual phase current sensing
  • Temperature sensor
  • UL recognized: applied
  • Lead-free device

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Industrial drives
  • Industrial pumps
  • Industrial fans
  • Industrial automation