YONGYUTAI MMDT3904
| Produttore | YONGYUTAIAsian Brands |
| Cod. Prod. | MMDT3904 |
| Cod. LCSC | C6562220 |
| Imballo | SOT-363-3 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | TRANS NPN 40V 200mA SOT-363-3 |
| Scheda Tecnica | YONGYUTAI MMDT3904 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 1 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | YONGYUTAI | |
| Imballo | SOT-363-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | - | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 2 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | YONGYUTAI | |
| Imballo | SOT-363-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | - | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 2 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Epitaxial planar chip structure
- Low-power amplification and switching applications
Garanzia su ogni ordine
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | YONGYUTAI | |
| Imballo | SOT-363-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | - | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 2 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | YONGYUTAI | |
| Imballo | SOT-363-3 | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Operating Temperature | - | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| DC Current Gain | 300 | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Configuration | Standalone | |
| Number | 2 NPN | |
| type | NPN | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 200mV |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Epitaxial planar chip structure
- Low-power amplification and switching applications
C6562220 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |



