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GOFORD GT045N10D5

Hersteller
GOFORDAsian Brands
Herst.-Teilenr.
GT045N10D5
LCSC-Nr.
C581351
Verp.
DFN-8(5x6)
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH 100V 80A DFN-8(5x6)
DatenblattGOFORD GT045N10D5
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerGOFORD
Verp.DFN-8(5x6)
Output Capacitance(Coss)700pF
Ciss-Input Capacitance5.8nF
Pd - Power Dissipation180W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage100V
Current - Continuous Drain(Id)120A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)52pF
RDS(on)3.5mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)78nC
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.7V
TypeN-Channel
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Beschreibung

KI-Übersetzung

GT045N10D5 adopts advanced trench technology, offering excellent RDS(ON) and low gate charge, suitable for a wide range of applications.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • VDS 100V
  • ID (at VGS = 10 V) 120A
  • RDS(ON) (at VGS = 10 V) < 4.5 mΩ
  • RDS(ON) (at VGS = 4.5 V) < 6 mΩ
  • 100% avalanche tested
  • RoHS compliant

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Power switch
  • DC/DC converter