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EDA 모델EasyEDA
AGMSEMI AGM420MD
| 제조업체 | AGMSEMIAsian Brands |
| 제조사 품번 | AGM420MD |
| LCSC 번호 | C5340118 |
| 포장 | TO-252-4 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET N-CH+P-CH ARR 40V 23A TO-252-4 |
| 데이터시트 | AGMSEMI AGM420MD |
| RoHS 준수 | 1개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 2 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | AGMSEMI | |
| 포장 | TO-252-4 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A | |
| Ciss-Input Capacitance | 720pF | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 52pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | AGMSEMI | |
| 포장 | TO-252-4 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A | |
| Ciss-Input Capacitance | 720pF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 52pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V |
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개요
AI 번역
The AGM420MD combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications.
주요 특징
AI 번역
- Advance high cell density Trench technology
- Low RDS(ON) to minimize conductive loss
- Low Gate Charge for fast switching
- Low Thermal resistance
- 100% Avalanche tested
- ±100% DVDS tested
응용 분야
AI 번역
- MB/VGA Vcore
- SMPS 2nd Synchronous Rectifier
- POL application
- BLDC Motor driver
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | AGMSEMI | |
| 포장 | TO-252-4 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A | |
| Ciss-Input Capacitance | 720pF | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 52pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | AGMSEMI | |
| 포장 | TO-252-4 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A | |
| Ciss-Input Capacitance | 720pF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 52pF | |
| RDS(on) | 25mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V |
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개요
AI 번역
The AGM420MD combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications.
주요 특징
AI 번역
- Advance high cell density Trench technology
- Low RDS(ON) to minimize conductive loss
- Low Gate Charge for fast switching
- Low Thermal resistance
- 100% Avalanche tested
- ±100% DVDS tested
응용 분야
AI 번역
- MB/VGA Vcore
- SMPS 2nd Synchronous Rectifier
- POL application
- BLDC Motor driver
C5340118 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |