JSMSEMI JSM4260-JSM
| Produttore | JSMSEMIAsian Brands |
| Cod. Prod. | JSM4260-JSM |
| Cod. LCSC | C49368281 |
| Imballo | SOP-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 4W 60V 12A 9mΩ@10V 1 N-channel N-Channel SOP-8 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | JSMSEMI JSM4260-JSM |
| Conformità RoHS | 4 documenti disponibili |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | JSMSEMI | |
| Imballo | SOP-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 192pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.17nF | |
| Pd - Power Dissipation | 4W | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 18.4nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | JSMSEMI | |
| Imballo | SOP-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 192pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.17nF | |
| Pd - Power Dissipation | 4W | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 18.4nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
- Split-gate trench MOSFET technology
- Excellent thermal dissipation package
- High-density cell design for low Rds(ON)
- Moisture Sensitivity Level 1
- Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
- Halogen-free
Caratteristiche
Traduzione AI
- V<sub>DS</sub> = 60V
- I<sub>D</sub> = 12A
- R<sub>ds(ON)</sub> < 12mΩ (at V<sub>gs</sub> = 10V)
- 100% EAS tested
- 100% V<sub>bs</sub> tested
Applicazioni
Traduzione AI
- Power switching applications
- Uninterruptible power supplies
- DC-DC converters
- Motor drivers
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 5
5 Pronta consegna
Minimo: 5Multiplo: 5Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.2891 | $ 1.45 |
| 50+ | $ 0.227 | $ 11.35 |
| 150+ | $ 0.2004 | $ 30.06 |
| 500+ | $ 0.1672 | $ 83.60 |
| 3,000+ | $ 0.1524 | $ 457.20 |
| 6,000+ | $ 0.1436 | $ 861.60 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | JSMSEMI | |
| Imballo | SOP-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 192pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.17nF | |
| Pd - Power Dissipation | 4W | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 18.4nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | JSMSEMI | |
| Imballo | SOP-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 192pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.17nF | |
| Pd - Power Dissipation | 4W | |
| Configuration | Standalone | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 18.4nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
- Split-gate trench MOSFET technology
- Excellent thermal dissipation package
- High-density cell design for low Rds(ON)
- Moisture Sensitivity Level 1
- Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
- Halogen-free
Caratteristiche
Traduzione AI
- V<sub>DS</sub> = 60V
- I<sub>D</sub> = 12A
- R<sub>ds(ON)</sub> < 12mΩ (at V<sub>gs</sub> = 10V)
- 100% EAS tested
- 100% V<sub>bs</sub> tested
Applicazioni
Traduzione AI
- Power switching applications
- Uninterruptible power supplies
- DC-DC converters
- Motor drivers
C49368281 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |



