BORN BN52C5V6
| Hersteller | BORNAsian Brands |
| Herst.-Teilenr. | BN52C5V6 |
| LCSC-Nr. | C48533883 |
| Verp. | DFN1006-2 |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | DIODE ZENER 5.6V 200mW DFN1006-2 |
| Datenblatt | BORN BN52C5V6 |
| Alternativteile | 1 |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | BORN | |
| Verp. | DFN1006-2 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA | |
| Impedance(Zzt) | 40Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5.2V~6V | |
| Zener Voltage(Nom) | 5.6V | |
| Impedance(Zzk) | 400Ω |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | BORN | |
| Verp. | DFN1006-2 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA | |
| Impedance(Zzt) | 40Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5.2V~6V | |
| Zener Voltage(Nom) | 5.6V | |
| Impedance(Zzk) | 400Ω |
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Beschreibung
KI-Übersetzung
Molded plastic package with color band indicating cathode. DFN1006 plastic package, epoxy resin compliant with UL 94V-0.
Merkmale
KI-Übersetzung
- Low Zener impedance
- 200 mW power dissipation
- High stability and reliability
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Vorrätig: 7,940
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|---|---|---|
| 20+ | $ 0.0246 | $ 0.49 |
| 200+ | $ 0.0193 | $ 3.86 |
| 600+ | $ 0.0164 | $ 9.84 |
| 2,000+ | $ 0.0146 | $ 29.20 |
| 10,000+ | $ 0.0131 | $ 131.00 |
| 20,000+ | $ 0.0123 | $ 246.00 |
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Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | BORN | |
| Verp. | DFN1006-2 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA | |
| Impedance(Zzt) | 40Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5.2V~6V | |
| Zener Voltage(Nom) | 5.6V | |
| Impedance(Zzk) | 400Ω |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Hersteller | BORN | |
| Verp. | DFN1006-2 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA | |
| Impedance(Zzt) | 40Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 5.2V~6V | |
| Zener Voltage(Nom) | 5.6V | |
| Impedance(Zzk) | 400Ω |
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Beschreibung
KI-Übersetzung
Molded plastic package with color band indicating cathode. DFN1006 plastic package, epoxy resin compliant with UL 94V-0.
Merkmale
KI-Übersetzung
- Low Zener impedance
- 200 mW power dissipation
- High stability and reliability
C48533883 EasyEDA-Bibliothek
Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Typ | Details |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
Alternativteile
| MPN | Hersteller | Alternativtyp | Verpackung | Verfügbarkeit | Stückpreis | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BN52B5V6 | BORN | Ähnliche | DFN1006-2L | 9,840 | $ 0.0225 |
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