실제 제품과 다를 수 있음
EDA 모델EasyEDA
VBsemi Elec RDD050N20-VB
| 제조업체 | VBsemi ElecAsian Brands |
| 제조사 품번 | RDD050N20-VB |
| LCSC 번호 | C41370381 |
| 포장 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 200V 10A 3W 245mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs |
| 데이터시트 | VBsemi Elec RDD050N20-VB |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 80pF | |
| RDS(on) | 245mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 80pF | |
| RDS(on) | 245mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Trench power MOSFET
- Junction temperature 175°C
- PWM optimized
- 100% gate resistance (Rg) tested
- RoHS compliant with directive 2002/95/EC
응용 분야
AI 번역
- Primary-side switch
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 80pF | |
| RDS(on) | 245mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 80pF | |
| RDS(on) | 245mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Trench power MOSFET
- Junction temperature 175°C
- PWM optimized
- 100% gate resistance (Rg) tested
- RoHS compliant with directive 2002/95/EC
응용 분야
AI 번역
- Primary-side switch
C41370381 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |