실제 제품과 다를 수 있음
EDA 모델EasyEDA
VBsemi Elec DMN2041LSD-VB
| 제조업체 | VBsemi ElecAsian Brands |
| 제조사 품번 | DMN2041LSD-VB |
| LCSC 번호 | C41370169 |
| 포장 | SO-8 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 20V 7.1A 2W 19mΩ@4.5V 2 N-Channel N-Channel SO-8 Single FETs, MOSFETs |
| 데이터시트 | VBsemi Elec DMN2041LSD-VB |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | SO-8 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.1A | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| RDS(on) | 19mΩ@4.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | SO-8 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.1A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| RDS(on) | 19mΩ@4.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Compliant with halogen-free requirements as defined by IEC 61249-2-21
- TrenchFET power MOSFET
- 100% Rg tested
- Compliant with RoHS Directive 2002/95/EC
- Available in N-channel MOSFET
응용 분야
AI 번역
- OR gate applications - server - DC/DC conversion
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | SO-8 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.1A | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| RDS(on) | 19mΩ@4.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | SO-8 | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.1A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| RDS(on) | 19mΩ@4.5V | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Compliant with halogen-free requirements as defined by IEC 61249-2-21
- TrenchFET power MOSFET
- 100% Rg tested
- Compliant with RoHS Directive 2002/95/EC
- Available in N-channel MOSFET
응용 분야
AI 번역
- OR gate applications - server - DC/DC conversion
C41370169 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |