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Modelli EDAEasyEDA
Infineon BSP322PL6327
| Produttore | |
| Cod. Prod. | BSP322PL6327 |
| Cod. LCSC | C3282535 |
| Imballo | SOT-223-4 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | P-Channel, Current:1A, Voltage:100V |
| Scheda Tecnica | Infineon BSP322PL6327 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SOT-223-4 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 372pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 51pF | |
| RDS(on) | 1Ω@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SOT-223-4 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 372pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 51pF | |
| RDS(on) | 1Ω@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- P-channel
- Enhancement mode
- Logic level
- Avalanche rated
- Lead-free terminations; RoHS compliant
- AEC Q101 qualified
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SOT-223-4 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 372pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 51pF | |
| RDS(on) | 1Ω@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SOT-223-4 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 372pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 51pF | |
| RDS(on) | 1Ω@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- P-channel
- Enhancement mode
- Logic level
- Avalanche rated
- Lead-free terminations; RoHS compliant
- AEC Q101 qualified
C3282535 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |