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ROHM DTA113ZE3TL product image
Abbildung ähnlich

ROHM DTA113ZE3TL

Hersteller
ROHM
Herst.-Teilenr.
DTA113ZE3TL
LCSC-Nr.
C20108203
Verp.
-
Kundennummer
Hauptmerkm.
33 100mA 150mW 1 PNP Pre-Biased PNP Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
DatenblattROHM DTA113ZE3TL
RoHS-Konformität2 Dokumente verfügbar
Garantie auf jede Bestellung
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200+$ 0.0264$ 5.28
500+$ 0.0255$ 12.75
1,000+$ 0.025$ 25.00
Standardgehäuse3000/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
HerstellerROHM
Verp.-
Current - Collector Cutoff-
Collector - Emitter Voltage VCEO-
Transition frequency(fT)250MHz
Emitter-Base Voltage VEBO-
DC Current Gain33
Vce Saturation(VCE(sat))-
Current - Collector(Ic)100mA
Output Voltage(VO(on))300mV@10mA,500uA
Input Resistor1.3kΩ
Resistor Ratio12
Pd - Power Dissipation150mW
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)3V@20mA,0.3V
Voltage - Input(Max)(VI(off))300mV@100uA,5V
Operating temperature-
Number1 PNP Pre-Biased
typePNP
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • Built-in bias resistors: R1 = 1kΩ, R2 = 10kΩ
  • Built-in bias resistors enable inverter circuit configuration without external input resistors
  • Simple on/off switching operation simplifies circuit design
  • Complementary NPN type: DTC113Z series

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Inverter
  • Interface
  • Driver