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UMW FDD8586(UMW) product image
Abbildung ähnlich

UMW FDD8586(UMW)

Hersteller
UMWAsian Brands
Herst.-Teilenr.
FDD8586(UMW)
LCSC-Nr.
C18295983
Verp.
TO-252
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH 20V 35A TO-252
DatenblattUMW FDD8586(UMW)
RoHS-Konformität2 Dokumente verfügbar
Alternativteile5
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerUMW
Verp.TO-252
Drain to Source Voltage20V
Operating Temperature-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)550pF
Current - Continuous Drain(Id)35A
Ciss-Input Capacitance1.865nF
Pd - Power Dissipation77W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)335pF
RDS(on)4mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)34nC@10V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V
TypeN-Channel
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Beschreibung

KI-Übersetzung

This N-channel MOSFET is designed to enhance the overall efficiency of DC/DC converters employing synchronous or conventional switching PWM controllers. It is optimized for low gate charge, low RDS(ON), and fast switching speed.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • VDS(V) = 20 V
  • ID = 35 A
  • RDS(ON) < 5.5 mΩ (VGS = 10 V)
  • RDS(ON) < 8.5 mΩ (VGS = 4.5 V)
  • Low gate resistance
  • Low gate charge: Qg(TOT) = 34 nC (typical), VGS = 10 V

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Core voltage DC-DC conversion for desktop PCs and servers
  • Voltage regulation modules for intermediate bus architecture