NTE Electronics NTE605A
| Produttore | |
| Cod. Prod. | NTE605A |
| Cod. LCSC | C17365045 |
| Imballo | DO-35 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 6V 1.36V@3mA 100mA DO-35 Single Diodes |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics NTE605A |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | NTE Electronics | |
| Imballo | DO-35 | |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | |
| Diode Configuration | - | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 6V | |
| Operating Junction Temperature Range | - | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.36V@3mA | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@6V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 100mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | NTE Electronics | |
| Imballo | DO-35 | |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | |
| Diode Configuration | - | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 6V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Operating Junction Temperature Range | - | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.36V@3mA | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@6V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 100mA |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- High-reliability planar chip and glass-sealed construction
- Low reverse current (IR)
- High power dissipation (PD)
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | NTE Electronics | |
| Imballo | DO-35 | |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | |
| Diode Configuration | - | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 6V | |
| Operating Junction Temperature Range | - | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.36V@3mA | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@6V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 100mA |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | NTE Electronics | |
| Imballo | DO-35 | |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | |
| Diode Configuration | - | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 6V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Operating Junction Temperature Range | - | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.36V@3mA | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@6V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 100mA |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- High-reliability planar chip and glass-sealed construction
- Low reverse current (IR)
- High power dissipation (PD)
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |

